在一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文中，证实了带有ViPR™技术的ZETA® 喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂（PLAD）离子注入工艺集成的关键步骤。这一篇论文发表于2008年6月8日至13日在加利福尼亚州蒙特利尔举办的，第17届国际离子注入技术大会上。与传统技术相比，ViPR工艺具有去除暴露在高剂量离子轰击而硬化的光刻胶、同时不会造成表面损伤和材料损失的独特能力。
“我们为取得这样的成功而激动不已，尤其是我们的ViPR技术在关键的高剂量应用中所发挥的致关重要的作用，如双闸极动态随机存取存储器（DRAM）。”FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell说道。“通过采用单一步骤工艺，我们不仅可以大大减少因多步骤、湿洗-灰化-湿洗方法所造成的材料损失，还可以降低成本、时间和工艺的复杂性。”
PLAD离子注入可以帮助制造商继续缩小器件的线宽，但使用传统的灰化-湿法工艺很难将光刻胶去除。过去采用的湿法-灰化-湿法三步工艺解决了这一难题，但是在后续工序中所造成的材料损失却难以接受。FSI特有的单步全湿法工艺ViPR技术，提高了晶圆表面化学品温度和反应能力，确保了完全去除由PLAD工艺产生的光刻胶和多掺杂物表面层，同时最大限度地保留掺杂物。由于免去了灰化和灰化清洗步骤，从而产生了这样的一种工艺，它实现了更快、更简单和更低的拥有成本。）
细节描述请参见第17届国际离子注入技术大会论文集中Y. Jeon,等人的《超高剂量注入CMOS应用的关键技术》一文，该文摘要可通过FSI网站(http://www.fsi-intl.com/press/itt_paper_req.php)索要，完整论文将于2008年秋天由美国物理学会在会议论文集中出版。
