今日热文:消息称三星电子开发zNAND-T与zNAND-I闪存,分别优化吞吐量与随机性能
2026-10-12 14:24:57 来源:IT之家
【资料图】
IT之家 10 月 12 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品,除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。
报道指出,zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"(吞吐量)。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念,为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现,采用 TSV 堆叠 NAND Die。
而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写,强调少量数据频繁读写操作中的表现,KV Cache 卸载就属于此类场景。
▲ zNAND-O 结构示意
三种 zNAND 各有专长,针对不同的应用负载,代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。
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